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元件参数资料
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参数目录43315
> BSC050N03LS G MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
型号:
BSC050N03LS G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSC050N03LS G PDF
产品目录绘图
Mosfets TDSON-8
标准包装
1
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2800pF @ 15V
功率 - 最大
50W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商设备封装
PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包装
标准包装
产品目录页面
1619 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
BSC050N03LSGINDKR
查看BSC050N03LS G代理商
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